三星提出3纳米芯片工艺

14日，三星电子在上海召开 “2018三星晶圆代工论坛”，首次发布的内容包括晶体管构造(FinFET、GAA)与曝光技术(EUV)的使用计划，以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图。